te 泰科

这一微控制器器件系列具有更佳的闪存密度、通用输入输出接口（GPIO）、CAN-FD和硬件安全性，扩展了采用CAPSENSE?技术的英飞凌汽车车身/暖通空调（HVAC）和方向盘应用人机界面（HMI）解决方案组合。
te 泰科该传感器包含四对 TMR 半桥，并通过在 x-y 平面上施加磁场提供四个单独的 SIN/COS 输出。然后，即使在其中一个输出信号发生故障的情况下，也可以实现高达 ASIL D 级的更高系统安全级别，同时提供更高的位置信息可用性。
　　OCP9225AH采用低Ron内部FET，工作范围为3V_DC至28V_DC，导通时Ron仅为18mΩ，很大的降低功率损耗。内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。

　　Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的发布，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正（PFC）和后面的DC/DC转换器砖式电源。
针对IP数据/安全问题，MAX32690提供一个加密工具箱 (CTB)，其中包含用于快速椭圆曲线数字签名算法 (ECDSA) 的模块化算术加速器 (MAA)、加密标准 (AES) 引擎、TRNG、SHA-256哈希和安全引导加载程序。另外还包含两个四通道SPI片内执行（SPIXF和SPIXR）接口（每个接口的容量高达512MB），用于在片外扩展内部代码和SRAM空间。
te 泰科　　或者，使用与顶发光LED产品相同的光学堆栈深度，但使用极少量的LED和LED驱动器，即可实现均匀光效。采用这一设计，灯具制造商可以降低物料成本，简化电路排布。
　　纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?
　　经过预集成及验证，Dubhe-70能极大简化SoC开发工作。Dubhe-70可提供具备内存一致性的Cluster内单核、双核或四核的配置选择，具有高度可扩展性。在配套软件方面，赛昉科技能为客户提供裸机SDK、Linux SDK、独立且预编译的IDE等。

另外，由于采用了片上高自有电容的设计，此产品可有效支持小天线设计的实现，为客户在物料上的降本增效及产品空间规划上要求提供助力。
te 泰科　　随着Dubhe-70的正式推出，赛昉科技自研的RISC-V CPU IP已囊括主打性能的昉·天枢-90（Dubhe-90），主打高能效比的昉·天枢-80（Dubhe-80），以及主打极低功耗的Dubhe-70，覆盖各类高性能及高能效场景下的芯片设计需求。
　　保护模块包含了所有的保护组件。在基本模块保持运行的情况下，无需工具即可更换。设备前端面板上有一个状态指示灯。拔出保护模块时，相关信号电路仍通过DIN安装导轨上的基础模块相互连接。断开过程不会导致任何信号中断，这意味着可以在不影响设备运行的情况下更换保护模块。
　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。