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　　这一创新成果不仅彰显了圭步微电子在高性能4D毫米波雷达芯片（77GHz）领域的领先地位，更标志着我们在毫米波射频及算法等关键技术领域的重大突破。我们相信，随着该芯片的问世，将给高阶智能驾驶领域带来深远的影响。
aptiv同时，元太科技借助奇景专有的多线程影像驱动加速器（Pipeline Accelerator）技术，为终端用户提供在电子纸屏幕上实现流畅、近乎无延迟的书写体验。
　　TSB952的电源电压范围是4.5V-36V，具有很高的设计灵活性，可使用包括行业标准电压轨在内的多种电源。此外，宽压电源有助于系统承受较大的瞬态峰压和电压降。新运算放大器还具有轨到轨输出压摆，可满足应用设计的宽动态范围要求，例如，电源信号调理。

此外，对电流检测放大器、保护功能和逆变器级的集成进一步缩减了解决方案的尺寸和成本，从而可协助工程师开发更小巧的电机驱动器系统。
　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
　　Microchip执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示：“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的，随着市场发展，我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品，旨在支持智能边缘，满足所有细分市场的广泛性能需求。”
　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。

　　随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。
aptiv此外，SNMP以太网基本模块允许实时远程监控，具有电子邮件功能，以提醒用户和监控控制台重要的系统事件。MPPS优于同类产品，具有卓越的输出功率、效率、可靠性、灵活性、尺寸和重量。
CoolMOS S7TA还依靠较高的过流阈值提高了SSR的可靠性，降低了发生故障的可能性。这一稳健的开关解决方案为提高车内运行安全奠定了基础，并且具有更高稳健性的MOSFET延长了汽车继电器的生命周期，从而降低维护和更换成本。
　　TX3系列器件采用B（EIA 3528-21）和C（EIA 6032-28）封装，容值范围10 F至100 F，额定电压16 V至25 V，容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W，纹波电流为0.438 A，工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅（Pb）端子，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。