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　　超高感度性能让SC538HGS在工作中的相对补光能耗大幅下降，不仅能够有效减少工业检测相机设备发热，更有利于整体运行功耗的降低，节能更增效。
hrs　　英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。
Einstar是先临三维基于多年的三维视觉技术积累，结合市场需求，自主研发的一款超高性价比的普及化手持3D扫描仪。尽管身形迷你，但功能却十分全面。Einstar内置多颗红外SFH 4726AS LED，为该扫描仪提供强大且稳定的光照输出。其3D点云数据的点距可达0.1mm，能够高清细腻地还原实物立体形态。

推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管— TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
　　VNF9Q20F 适用于的区域控制电气/电子架构，还可替代保险丝和继电器， ECU配电隔离，支持驻车时整车电气系统的配电管理。由于STi2Fuse支持64 个限流值的可编程配置，为设计人员提供高精度的过载处理的灵活性。
　　纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?
　　碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ? 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。
　　而三星Galaxy Z Flip6在灵动多变、便捷易用的体验上更进一步，助力用户尽情释放个性与创意表达。依托Galaxy AI与大视野智能外屏、立式自由拍摄系统等标志性体验的创新结合，三星Galaxy Z Flip6为用户在更多生活场景中带来更为新颖、有趣的AI功能与体验。

推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。
hrsISM330BX 的发布推动了工业用 MEMS技术 的发展，通过提供 STEVAL-MKI245KA转接板等基本硬件，进一步丰富了 MEMS开发生态系统。在GitHub网站上还有的软件资源可用，包括 MEMS Studio 和现成的应用示例，为开发者提供一个合作创新的开发环境。
英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现能效。
　　芯片内部包括一个高精度带隙电路、一个模数转换器、一个带非易失性存储器的校准单元和两个DAC输出。温湿度模拟输出电压稳定，标准环境下温湿度输出电压抖动不超过0.01V。芯片精度高，输出电压分辨率可达1mV。测量温湿度响应速度快，而且模拟输出IO口驱动能力可达2mA.