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　　Bourns SRR5228A 和 SRR5828A 提供业界领先的电感和加热电流，感量高达 1000 μH，温升电流高达 5.2 A。这些电感器还提供 -40 °C 至 +150 °C 的宽工作温度范围。
harting连接器官网　　MAX32690 MCU采用68引线TQFN-EP（0.40mm间距）封装和140焊球WLP（0.35mm间距）封装。该器件适用于工业环境，额定温度范围-40°C至+105°C，目标应用包括有线和无线工业通信、可穿戴和可听戴健身及健康设备、可穿戴无线医疗设备、IoT和IIoT以及资产跟踪。
　　严格的阈值电压VGS(th)规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。

　　此驱动器的另一个优点是每个通道可多提供高达 66% 的电流 (与标准 150mA 相比可达到250mA)，从而具有更大的灵活性，可在更广泛的照明应用中支持更大的 LED 电流范围。为达到更高的灵活性，三个通道中每个通道的电流都可以使用单独的电阻进行设定。
　　压敏电阻是处理电压严重异常情况的基本电路元件。在汽车应用中，它们可以保护精密的电子控制单元，是符合AEC-Q200和IEC 61000-4-2等汽车级安全标准的关键。
harting连接器官网这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设计的元件数量，缩小印刷电路板（PCB）尺寸，并降低复杂性。该系列器件的支持资源包括开发板、参考设计、应用笔记和 Microchip 的场定向控制 （FOC）软件开发套件motorBench? Development Suite V2.45。
与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
　　意法半导体推出了TSB952双运算放大器 (运放)。新产品具有52MHz的增益带宽，在36V电压时，电源电流每通道仅为3.3mA，为注重功耗的设计带来高性能。

推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。
harting连接器官网　　此外，「S-19999系列」内置有电压反馈电阻电路(※3)，在休眠模式下可以切断电压反馈电阻电路的电流路径。与电压反馈电阻电路外接型的「S-19990系列」相比，可以进一步削减暗电流。
　　移远在模组开发的过程中，一直将安全置于核心位置，从产品架构到固件/软件开发，均遵循领先的行业实践和标准，通过第三方独立测试机构减少潜在漏洞，并将生成SBOMs和VEX文件等安全实践以及执行固件二进制分析纳入整个软件开发生命周期中。
　　同样，MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流转换器也非常适合桥式电路中的IGBT/SiC和MOSFET栅极驱动，MGJ1 SIP还支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN电压。这两个系列具有高隔离和2.4kV的连续非安全额定值。UL62368具有 300Vrms的增强绝缘，能够满足在CMTI大于200kV/?s的电机驱动器和逆变器中使用的桥式电路中常见的dv/dt要求。